分離式半導體產(chǎn)品 SI4160DY-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SI4160DY-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SI4160DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC 2,500 1:$1.46000
25:$1.14920
100:$1.03410
250:$0.90004
500:$0.80430
1,000:$0.63195
SI4160DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC 0 2,500:$0.53620
5,000:$0.50939
12,500:$0.48832
25,000:$0.47492
IRF9510STRLPBF Vishay Siliconix MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK 695 1:$1.55000
25:$1.22120
100:$1.09890
250:$0.95644
IRF9510STRLPBF Vishay Siliconix MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK 695 1:$1.55000
25:$1.22120
100:$1.09890
250:$0.95644
IRF9510STRLPBF Vishay Siliconix MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK 0 800:$0.67563
1,600:$0.61050
2,400:$0.56980
5,600:$0.54131
20,000:$0.51893
40,000:$0.50468
SI4160DY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 25.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 4.9 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 2.4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 54nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2071pF @ 15V
功率 - 最大: 5.7W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝: 8-SOICN
包裝: 剪切帶 (CT)