| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| EPC2012 | EPC | TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE | 6,750 | 1:$4.50000 10:$4.05000 100:$3.30000 250:$3.00000 500:$2.62500 750:$2.40000 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | GaNFET N 通道，氮化鎵 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 200V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 3A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 100 毫歐 @ 3A，5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2.5V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 1.5nC @ 100V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 128pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | - |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 模具 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 模具 |
| 包裝: | Digi-Reel® |