元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
---|---|---|---|---|
EPC2007 | EPC | TRANS 100V 30MO BUMPED DIE | 0 | 1,000:$1.30500 5,000:$1.17000 10,000:$1.12500 |
類別: | 分離式半導體產品 |
---|---|
FET 型: | GaNFET N 通道,氮化鎵 |
FET 特點: | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 6A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 30 毫歐 @ 6A,5V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 2.5V @ 1.2mA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 2.1nC @ 5V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 205pF @ 50V |
功率 - 最大: | - |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 模具剖面(5 焊條) |
供應商設備封裝: | 模具剖面(5 焊條) |
包裝: | 帶卷 (TR) |