分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 PHB21N06LT,118品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

PHB21N06LT,118 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
PHB21N06LT,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 55V 19A SOT404 4,000 800:$0.76078
1,600:$0.68745
2,400:$0.64162
5,600:$0.60954
20,000:$0.58662
40,000:$0.56829
80,000:$0.54996
PHB21N06LT,118 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 19A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 70 毫歐 @ 10A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 9.4nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 650pF @ 25V
功率 - 最大: 56W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: D2PAK
包裝: 帶卷 (TR)