| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| NP33N06YDG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON | 0 | 2,500:$0.68362 5,000:$0.64944 12,500:$0.62258 25,000:$0.60549 62,500:$0.58596 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 33A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 14 毫歐 @ 16.5A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 2.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 78nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 3900pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 1W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-SMD，扁平引線裸焊盤 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 8-HSON |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |