分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 PSMN4R0-30YL,115品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

PSMN4R0-30YL,115 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
PSMN4R0-30YL,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 30V 100A SOT669 1,500 1,500:$0.40320
3,000:$0.37632
7,500:$0.35750
10,500:$0.34406
37,500:$0.33331
75,000:$0.32256
PSMN4R0-30YL,115 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 100A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4 毫歐 @ 15A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.15V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 36.6nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2090pF @ 12V
功率 - 最大: 69W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SC-100,SOT-669,4-LFPAK
供應(yīng)商設(shè)備封裝: LFPAK,Power-SO8
包裝: 帶卷 (TR)
電子產(chǎn)品資料
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