分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI5499DC-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI5499DC-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI5499DC-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8 719 1:$0.62000
25:$0.43200
100:$0.37030
250:$0.31976
500:$0.27490
1,000:$0.21318
SI5499DC-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 8V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 6A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 36 毫歐 @ 5.1A，4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 800mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 35nC @ 8V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1290pF @ 4V
功率 - 最大: 6.2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 1206-8 ChipFET?
包裝: 剪切帶 (CT)