元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
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SI7421DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH D-S 30V PPAK 1212-8 | 0 | 3,000:$0.58800 |
SIS892ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V D-S PPAK 1212 | 100 | 1:$1.18000 25:$0.93000 100:$0.83700 250:$0.72852 500:$0.65100 1,000:$0.51150 |
SIS892ADN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V D-S PPAK 1212 | 0 | 3,000:$0.43400 6,000:$0.41230 15,000:$0.39525 30,000:$0.38440 75,000:$0.37200 |
SIJ800DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V PPAK SO-8L | 0 | 3,000:$0.43400 |
類別: | 分離式半導體產品 |
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FET 型: | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 特點: | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 6.4A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 25 毫歐 @ 9.8A,10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 3V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 40nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | - |
功率 - 最大: | 1.5W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | PowerPAK? 1212-8 |
供應商設備封裝: | PowerPAK? 1212-8 |
包裝: | 帶卷 (TR) |