分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPP114N12N3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPP114N12N3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPP114N12N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3 500 1:$2.40000
10:$2.17200
25:$1.93960
100:$1.74560
250:$1.55160
500:$1.35766
1,000:$1.12491
2,500:$1.04733
5,000:$1.00854
IPP114N12N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 120V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 75A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 11.4 毫歐 @ 75A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 83µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 65nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4310pF @ 60V
功率 - 最大: 136W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO220-3
包裝: 管件
電子產(chǎn)品資料
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