分離式半導體產(chǎn)品 SIRA06DP-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SIRA06DP-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SIRA06DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 40A SO8 PWR PK 82 1:$1.29000
25:$1.02000
100:$0.91800
250:$0.79900
500:$0.71400
1,000:$0.56100
SIRA06DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 40A SO8 PWR PK 82 1:$1.29000
25:$1.02000
100:$0.91800
250:$0.79900
500:$0.71400
1,000:$0.56100
SIRA06DP-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 40A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 2.5 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 77nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3595pF @ 15V
功率 - 最大: 27.7W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應商設備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: Digi-Reel®