分離式半導體產(chǎn)品 NTD6600N-1G品牌、價格、PDF參數(shù)
NTD6600N-1G • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價格 |
| NTD6600N-1G |
ON Semiconductor |
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK |
0 |
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| NTJS3151PT2 |
ON Semiconductor |
MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363 |
0 |
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NTD6600N-1G • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點: |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
100V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
12A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
146 毫歐 @ 6A，5V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）: |
2V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
20nC @ 5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
700pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
1.28W
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| 安裝類型: |
通孔
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| 封裝/外殼: |
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
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| 供應商設備封裝: |
I-Pak
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| 包裝: |
管件
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