分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI7186DP-T1-E3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
SI7186DP-T1-E3 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
SI7186DP-T1-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 80V PPAK 8SOIC |
0 |
3,000:$1.64920
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SI7186DP-T1-E3 PDF參數(shù)
類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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FET 型: |
MOSFET N 通道,金屬氧化物
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FET 特點(diǎn): |
標(biāo)準(zhǔn)
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漏極至源極電壓(Vdss): |
80V
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電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
32A
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開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: |
12.5 毫歐 @ 10A,10V
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Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): |
4.5V @ 250µA
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閘電荷(Qg) @ Vgs: |
70nC @ 10V
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輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
2840pF @ 40V
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功率 - 最大: |
64W
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安裝類型: |
表面貼裝
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封裝/外殼: |
PowerPAK? SO-8
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供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
PowerPAK? SO-8
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包裝: |
帶卷 (TR)
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