分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BSP295E6327T品牌、價格、PDF參數(shù)

BSP295E6327T • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
BSP295E6327T Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 0 1:$0.94000
10:$0.75500
100:$0.56620
1,000:$0.32504
BSP295E6327T Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223 0 1,000:$0.32504
5,000:$0.29358
10,000:$0.28834
BSP171PE6327T Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 0
BSP171PE6327T Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 0
BSP170PE6327T Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 0
BSP170PE6327T Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223 0
BSP129E6327T Infineon Technologies MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 0
BSP129E6327T Infineon Technologies MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 0
BSP295E6327T • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 1.8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 300 毫歐 @ 1.8A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 1.8V @ 400µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 368pF @ 25V
功率 - 最大: 1.8W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-261-4，TO-261AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-SOT223-4
包裝: 剪切帶 (CT)
電子產(chǎn)品資料
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