分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IXTU08N100P品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
IXTU08N100P • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| IXTU08N100P |
IXYS |
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251 |
0 |
300:$1.70000
|
IXTU08N100P • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
1000V（1kV）
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
8A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
-
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
-
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
-
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
-
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| 功率 - 最大: |
-
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| 安裝類型: |
通孔
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| 封裝/外殼: |
TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
TO-251
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| 包裝: |
管件
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