分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 PSMNR90-30BL,118品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

PSMNR90-30BL,118 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
PSMNR90-30BL,118 NXP Semiconductors MOSFET N CH 30V 120A D2PAK 0 1:$2.98000
10:$2.66900
25:$2.40000
100:$2.18260
250:$1.97572
PSMNR90-30BL,118 NXP Semiconductors MOSFET N CH 30V 120A D2PAK 0 800:$1.55160
1,600:$1.44816
2,400:$1.37575
5,600:$1.32403
20,000:$1.28266
40,000:$1.24128
BUK763R1-40B,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 0 1:$2.98000
10:$2.66700
25:$2.39800
100:$2.18110
250:$1.97436
BUK763R1-40B,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 0 1:$2.98000
10:$2.66700
25:$2.39800
100:$2.18110
250:$1.97436
PSMNR90-30BL,118 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 120A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 1 毫歐@ 25A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2.2V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 243nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 14850pF @ 15V
功率 - 最大: 306W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: D2PAK
包裝: 剪切帶 (CT)