分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IXFT86N30T品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
IXFT86N30T • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| IXFT86N30T |
IXYS |
MOSFET N-CH 300V 86A TO268 |
0 |
90:$6.02700
|
| IXTA72N20T |
IXYS |
MOSFET N-CH 200V 72A TO-263 |
0 |
150:$2.80853
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| IXFT88N30P |
IXYS |
MOSFET N-CH 300V 88A TO268 |
0 |
90:$6.00656
|
| IXTX600N04T2 |
IXYS |
MOSFET N-CH 40V 600A PLUS247 |
0 |
30:$14.61500
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| IXFL44N100P |
IXYS |
MOSFET N-CH 1000V 22A I5-PAK |
0 |
25:$19.97520
|
| IXTC62N15P |
IXYS |
MOSFET N-CH ISOPLUS-220 |
0 |
100:$4.71500
|
| IXTA62N25T |
IXYS |
MOSFET N-CH 250V 62A TO-263 |
0 |
150:$2.80853
|
| IXTA50N25T |
IXYS |
MOSFET N-CH 250V 50A TO-263 |
0 |
150:$2.80853
|
| IXTA90N15T |
IXYS |
MOSFET N-CH 150V 90A TO-263 |
0 |
150:$2.80853
|
IXFT86N30T • PDF參數(shù)
| 類(lèi)別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
300V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
86A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
43 毫歐 @ 500mA，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
5V @ 4mA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
180nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
11300pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
830W
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| 安裝類(lèi)型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
TO-268
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| 包裝: |
管件
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