元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
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SSM6J503NU,LF | Toshiba | MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A | 6,000 | 1:$0.72000 10:$0.57200 25:$0.50040 100:$0.42900 250:$0.37052 500:$0.31850 1,000:$0.24700 |
SSM6J503NU,LF | Toshiba | MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A | 6,000 | 3,000:$0.20150 6,000:$0.18850 15,000:$0.17550 30,000:$0.16575 75,000:$0.16250 150,000:$0.15600 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門(mén) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 6A |
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 32.4 毫歐 @ 3A,4.5V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 1V @ 1mA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 12.8nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 840pF @ 10V |
功率 - 最大: | 1W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 6-WDFN 裸露焊盤(pán) |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 6-uDFN(2x2) |
包裝: | 剪切帶 (CT) |