分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 3LN01C-TB-H品牌、價格、PDF參數(shù)

3LN01C-TB-H • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
3LN01C-TB-H ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP 0 9,000:$0.07866
NVTE4151PT1G ON Semiconductor MOSFET P-CH 760MA 20V SC-89 0 9,000:$0.07650
3LN01C-TB-H • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 150mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.7 歐姆 @ 80mA,4V
Id 時的 Vgs(th)(最大): -
閘電荷(Qg) @ Vgs: 1.58nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 7pF @ 10V
功率 - 最大: 250mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 3-CP
包裝: 帶卷 (TR)