分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPB80N04S4L-04品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
IPB80N04S4L-04 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| IPB80N04S4L-04 |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3-2 |
0 |
1,000:$0.57420
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| BSZ340N08NS3 G |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8 |
0 |
|
| BSZ340N08NS3 G |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 80V 23A TSDSON-8 |
0 |
5,000:$0.30456
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IPB80N04S4L-04 • PDF參數(shù)
| 類(lèi)別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
邏輯電平門(mén)
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
40V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
80A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
4 毫歐 @ 80A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
2.2V @ 35µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
60nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
4690pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
71W
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| 安裝類(lèi)型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
PG-TO263-3-2
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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