分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPD220N06L3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPD220N06L3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPD220N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3 0 2,500:$0.31480
IPD220N06L3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 30A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 22 毫歐 @ 30A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.2V @ 11µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1600pF @ 30V
功率 - 最大: 36W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO252-3
包裝: 帶卷 (TR)