分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPB019N06L3 G品牌、價格、PDF參數(shù)

IPB019N06L3 G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IPB019N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 0 1:$4.19000
10:$3.77400
25:$3.42440
100:$3.07490
250:$2.79540
500:$2.44598
IPB019N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 0 1:$4.19000
10:$3.77400
25:$3.42440
100:$3.07490
250:$2.79540
500:$2.44598
IPB019N06L3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 0 1,000:$1.95678
2,000:$1.85894
5,000:$1.78207
10,000:$1.73315
25,000:$1.67724
IPB019N06L3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 120A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 1.9 毫歐 @ 100A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 2.2V @ 196µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 166nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 28000pF @ 30V
功率 - 最大: 250W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO263-2
包裝: Digi-Reel®