分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPI045N10N3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPI045N10N3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPI045N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3 0 1:$3.86000
10:$3.44600
25:$3.10160
100:$2.82570
250:$2.55004
500:$2.28814
1,000:$1.92976
2,500:$1.83327
5,000:$1.75746
IPA65R110CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220 0 10,000:$3.82313
IPI045N10N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 100A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 4.5 毫歐 @ 100A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 3.5V @ 150µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 117nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 8410pF @ 50V
功率 - 最大: 214W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO262-3
包裝: 管件