分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPB054N06N3 G品牌、價格、PDF參數(shù)

IPB054N06N3 G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IPB054N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 2,000 1,000:$0.82621
2,000:$0.76923
5,000:$0.74074
10,000:$0.71225
25,000:$0.69801
50,000:$0.68376
IPB054N06N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 80A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 5.4 毫歐 @ 80A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 58µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 82nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 6600pF @ 30V
功率 - 最大: 115W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO263-2
包裝: 帶卷 (TR)