分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BTS247Z E3043品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

BTS247Z E3043 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
BTS247Z E3043 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5 0 500:$1.47980
IPL60R299CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON 0 1:$3.22000
10:$2.89400
25:$2.62600
100:$2.35800
250:$2.14360
500:$1.87566
1,000:$1.60770
IPL60R299CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON 0 1:$3.22000
10:$2.89400
25:$2.62600
100:$2.35800
250:$2.14360
500:$1.87566
1,000:$1.60770
IPL60R299CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON 0 3,000:$1.42549
6,000:$1.36655
15,000:$1.32903
30,000:$1.28616
IPB180N04S4-H0 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3 0 1,000:$1.42478
BTS247Z E3043 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 33A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 18 毫歐 @ 12A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2V @ 90µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1730pF @ 25V
功率 - 最大: 120W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-5
供應(yīng)商設(shè)備封裝: P-TO220-5
包裝: 管件