分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIA443DJ-T1-E3品牌、價格、PDF參數(shù)

SIA443DJ-T1-E3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SIA443DJ-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 9A SC70-6 0
SI4398DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC 0
SIA443DJ-T1-E3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 9A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 45 毫歐 @ 4.7A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 25nC @ 8V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 750pF @ 10V
功率 - 最大: 15W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SC-70-6
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SC-70-6 單
包裝: Digi-Reel®