| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SIB412DK-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 | 0 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 9A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 34 毫歐 @ 6.6A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 1V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 10.16nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 535pF @ 10V |
| 功率 - 最大: | 13W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | PowerPAK? SC-75-6L |
| 供應商設備封裝: | PowerPAK? SC-75-6L 單 |
| 包裝: | Digi-Reel® |