分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPI180N10N3 G品牌、價格、PDF參數(shù)

IPI180N10N3 G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IPI180N10N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 43A TO262-3 0 1:$1.59000
10:$1.43700
25:$1.28280
100:$1.15450
250:$1.02620
500:$0.89792
1,000:$0.74400
2,500:$0.69268
5,000:$0.66703
SPB80N03S2-03 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK 0 1,000:$1.59404
IPI180N10N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 43A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 18 毫歐 @ 33A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 3.5V @ 33µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 50V
功率 - 最大: 71W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO262-3
包裝: 管件