分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 PHD18NQ10T,118品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
PHD18NQ10T,118 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| PHD18NQ10T,118 |
NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH 100V 18A DPAK |
0 |
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| BUK9535-55,127 |
NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH 55V 34A TO220AB |
0 |
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| BUK7524-55,127 |
NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH 55V SOT78 |
0 |
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| BUK7213-40A,118 |
NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH TRENCH 40V TO252 |
0 |
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| PH2030AL,115 |
NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH TRENCH 30V LFPAK |
0 |
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| PH1825AL,115 |
NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH TRENCH 25V LFPAK |
0 |
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| PHP165NQ08T,127 |
NXP Semiconductors |
MOSFET N-CH TRENCH 75V TO-220AB |
0 |
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PHD18NQ10T,118 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
100V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
18A
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| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
90 毫歐 @ 9A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
4V @ 1mA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
21nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
633pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
79W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
D-Pak
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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