分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 NSV60600MZ4T1G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

NSV60600MZ4T1G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
NSV60600MZ4T1G ON Semiconductor TRANS PNP BIPO 6A 60V SOT223-4 0 3,000:$0.20460
2SD1624S-TD-E ON Semiconductor TRANS NPN BIPO 3A 50V PCP 0 3,000:$0.20305
2SB1124S-TD-E ON Semiconductor TRANS PNP BIPO 3A 50V PCP 0 3,000:$0.20305
MJD6039T4G ON Semiconductor TRANS DARL NPN 4A 80V DPAK 0
MJD6039T4G ON Semiconductor TRANS DARL NPN 4A 80V DPAK 0 2,500:$0.20166
2SC4853A-4-TL-E ON Semiconductor TRANS NPN BIPO 15MA 5V MCP 0 3,000:$0.19623
2SD1835T ON Semiconductor TRANS NPN BIPO 2A 50V NP 0 2,500:$0.19623
NSVT489AMT1G ON Semiconductor TRANS SW NPN 2A 30V TSOP-6 0 3,000:$0.19608
NSS1C200MZ4T3G ON Semiconductor TRANSISTOR PNP 2A 100V SOT-223 0 4,000:$0.19608
NSV60600MZ4T1G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
晶體管類型: PNP
電流 - 集電極 (Ic)(最大): 6A
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大): 60V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大): 350mV @ 600mA,6A
電流 - 集電極截止(最大): -
在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE): 120 @ 1A,2V
功率 - 最大: 800mW
頻率 - 轉(zhuǎn)換: 100MHz
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-261-4,TO-261AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-223
包裝: 帶卷 (TR)
電子產(chǎn)品資料
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