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DS1991座

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  • DS1991座
    DS1991座

    DS1991座

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • 原廠

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 13+

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  • DS1991座
    DS1991座

    DS1991座

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/韓先生

    電話：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝陽(yáng)區(qū)建國(guó)門外大街9號(hào)樓603室

  • 3654

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨J

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DS1991座 技術(shù)參數(shù)
  • DS1976-471M 功能描述:470μH Shielded Inductor 730mA 1.08 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:470μH 容差:±20% 額定電流:730mA 電流 - 飽和值:1.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.08 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.730" 長(zhǎng) x 0.600" 寬（18.54mm x 15.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.300"（7.62mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DS1976-470M 功能描述:47μH Shielded Inductor 2.4A 97 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:2.4A 電流 - 飽和值:4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:97 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.730" 長(zhǎng) x 0.600" 寬（18.54mm x 15.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.300"（7.62mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DS1976-102M 功能描述:1mH Shielded Inductor 530mA 2.01 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:1mH 容差:±20% 額定電流:530mA 電流 - 飽和值:800mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:2.01 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.730" 長(zhǎng) x 0.600" 寬（18.54mm x 15.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.300"（7.62mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DS1976-101M 功能描述:100μH Shielded Inductor 1.7A 207 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:100μH 容差:±20% 額定電流:1.7A 電流 - 飽和值:2.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:207 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.730" 長(zhǎng) x 0.600" 寬（18.54mm x 15.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.300"（7.62mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DS1976-100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 3.6A 40 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:3.6A 電流 - 飽和值:7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:40 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.730" 長(zhǎng) x 0.600" 寬（18.54mm x 15.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.300"（7.62mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 DS1E-M-DC12V-TB DS1E-M-DC24V DS1E-M-DC24V-TB DS1E-M-DC3V DS1E-M-DC5V DS1E-M-DC5V-R DS1E-M-DC6V DS1E-M-DC9V DS1E-M-DC9V-R DS1E-ML2-DC1.5V DS1E-ML2-DC12V DS1E-ML2-DC24V DS1E-ML2-DC24V-R DS1E-ML2-DC3V DS1E-ML2-DC3V-R DS1E-ML2-DC5V DS1E-ML2-DC5V-R DS1E-ML2-DC6V
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