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DS1982-F3#

配單專家企業(yè)名單
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  • DS1982-F3#
    DS1982-F3#

    DS1982-F3#

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • MAXIM

  • 原廠封裝

  • 09+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質量

  • DS1982-F3#
    DS1982-F3#

    DS1982-F3#

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • MAXIM

  • 原廠封裝

  • 09+

  • -

  • DS1982-F3#
    DS1982-F3#

    DS1982-F3#

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 9600

  • DALLAS

  • N/A

  • 17+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨，優(yōu)勢供應

  • DS1982-F3#
    DS1982-F3#

    DS1982-F3#

  • 深圳市訊順達科技有限公司
    深圳市訊順達科技有限公司

    聯(lián)系人：卓小姐/蔡小姐/莊小姐

    電話：0755-827272340755-23915567

    地址：深圳市福田區(qū)華強北路1019號華強廣場A座15KL

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 4200

  • Dallas

  • PDIP

  • 23+

  • -

  • 全新原裝歡迎詢價下單

  • DS1982-F3#
    DS1982-F3#

    DS1982-F3#

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯(lián)系人：林小姐//方先生

    電話：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 1000

  • MAXIM

  • CAN

  • 2012+

  • -

  • 只做原裝正品。

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
DS1982-F3# PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • iButton
  • RoHS
  • 否
  • 存儲類型
  • SRAM
  • 存儲容量
  • 512 B
  • 組織
  • 工作電源電壓
  • 3 V to 5.25 V
  • 接口類型
  • 1-Wire
  • 最大工作溫度
  • + 85 C
  • 尺寸
  • 17.35 mm x 5.89 mm
  • 封裝 / 箱體
  • F5 MicroCan
  • 制造商
  • Maxim Integrated
DS1982-F3# 技術參數(shù)
  • DS1976-471M 功能描述:470μH Shielded Inductor 730mA 1.08 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:470μH 容差:±20% 額定電流:730mA 電流 - 飽和值:1.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.08 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.300"（7.62mm） 標準包裝:1 DS1976-470M 功能描述:47μH Shielded Inductor 2.4A 97 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:2.4A 電流 - 飽和值:4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:97 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.300"（7.62mm） 標準包裝:1 DS1976-102M 功能描述:1mH Shielded Inductor 530mA 2.01 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:1mH 容差:±20% 額定電流:530mA 電流 - 飽和值:800mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:2.01 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.300"（7.62mm） 標準包裝:1 DS1976-101M 功能描述:100μH Shielded Inductor 1.7A 207 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:100μH 容差:±20% 額定電流:1.7A 電流 - 飽和值:2.4A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:207 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.300"（7.62mm） 標準包裝:1 DS1976-100M 功能描述:10μH Shielded Inductor 3.6A 40 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:DS1976，Coev 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:- 材料 - 磁芯:- 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:3.6A 電流 - 飽和值:7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:40 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.300"（7.62mm） 標準包裝:1 DS1993L-F5+ DS1995L-F5+ DS1996L-F5+ DS1D7AQ3 DS1D7BQ3 DS1E-M-DC1.5V DS1E-M-DC1.5V-R DS1E-M-DC12V DS1E-M-DC12V-TB DS1E-M-DC24V DS1E-M-DC24V-TB DS1E-M-DC3V DS1E-M-DC5V DS1E-M-DC5V-R DS1E-M-DC6V DS1E-M-DC9V DS1E-M-DC9V-R DS1E-ML2-DC1.5V
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