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DFE252008C-2R2M=P2

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  • DFE252008C-2R2M=P2
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • muRata-TOKO

  • 原裝封裝

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • Murata Electronics North

  • 標準封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百正品

  • DFE252008C-2R2M=P2
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  • 深圳市科宏特電子有限公司
    深圳市科宏特電子有限公司

    聯系人：李瑞兵

    電話：18897698645

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路華強電子世界三店佳和4C148

  • 36000000

  • Toko

  • 22+

  • -

  • 原裝正品

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    DFE252008C-2R2M=P2

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 3000

  • MURATA

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

  • -

  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
DFE252008C-2R2M=P2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.6A 180 mOhm Max 1008 (2520 Metric)
  • 制造商
  • murata electronics north america
  • 系列
  • DFE252008C
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 類型
  • 繞線
  • 材料 - 磁芯
  • 鐵粉
  • 電感
  • 2.2μH
  • 容差
  • ±20%
  • 額定電流
  • 1.6A
  • 電流 - 飽和值
  • -
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 電阻（DCR）
  • 180 毫歐最大
  • 不同頻率時的 Q 值
  • -
  • 頻率 - 自諧振
  • -
  • 等級
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 85°C
  • 頻率 - 測試
  • 1MHz
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 1008（2520 公制）
  • 大小/尺寸
  • 0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）
  • 0.031"（0.80mm）
  • 標準包裝
  • 1
DFE252008C-2R2M=P2 技術參數
  • DFE252008C-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2A 126 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252008C 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:2A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:126 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.031"（0.80mm） 標準包裝:1 DFE252008C-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.3A 91 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252008C 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:2.3A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:91 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008（2520 公制） 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬（2.50mm x 2.00mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.031"（0.80mm） 標準包裝:1 DFE201612R-H-R47M=P2 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 40 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612R 包裝:* 零件狀態(tài):新產品 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:470nH 容差:±20% 額定電流:3.2A 電流 - 飽和值:3.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:40 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 DFE201612R-H-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 154 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612R 包裝:* 零件狀態(tài):新產品 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1.4A 電流 - 飽和值:1.7A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:154 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 DFE201612R-H-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2A 94 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612R 包裝:* 零件狀態(tài):新產品 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵粉 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:2A 電流 - 飽和值:2.1A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:94 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:1MHz 安裝類型:* 封裝/外殼:* 大小/尺寸:* 高度 - 安裝（最大值）:* 標準包裝:1 DFE252010F-6R8M=P2 DFE252010F-8R2M=P2 DFE252010F-R33M=P2 DFE252010F-R47M=P2 DFE252010F-R68M=P2 DFE252010F-R82M=P2 DFE252010P-1R0M=P2 DFE252010P-1R2M=P2 DFE252010P-1R5M=P2 DFE252010P-2R2M=P2 DFE252010P-3R3M=P2 DFE252010P-4R7M=P2 DFE252010P-R33M=P2 DFE252010P-R47M=P2 DFE252010P-R68M=P2 DFE252010R-H-1R0M=P2 DFE252010R-H-1R5M=P2 DFE252010R-H-2R2M=P2
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