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DF2B6.8E,L3F

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  • DF2B6.8E,L3F
    DF2B6.8E,L3F

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • Toshiba Semiconductor and

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • DF2B6.8E,L3F
    DF2B6.8E,L3F

    DF2B6.8E,L3F

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠(chǎng)封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 全新原裝貨 電話(huà)010-62104931...

  • DF2B6.8E,L3F
    DF2B6.8E,L3F

    DF2B6.8E,L3F

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯(lián)系人：陳小姐

    電話(huà)：13428937514

    地址：門(mén)市: 新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 18676

  • Toshiba Semiconductor and

  • 2016+

  • -

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DF2B6.8E,L3F 技術(shù)參數(shù)
  • DF2676VFC33V 功能描述:IC H8S MCU FLASH 256K 144QFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:H8® H8S/2600 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:PIC® 16F 核心處理器:PIC 芯體尺寸:8-位 速度:20MHz 連通性:I²C，SPI 外圍設(shè)備:欠壓檢測(cè)/復(fù)位，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):11 程序存儲(chǔ)器容量:3.5KB（2K x 14） 程序存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:128 x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.3 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 8x10b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） 包裝:管件 DF2676VFC33 功能描述:IC H8S MCU FLASH 256K 144QFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:H8® H8S/2600 標(biāo)準(zhǔn)包裝:160 系列:S08 核心處理器:S08 芯體尺寸:8-位 速度:40MHz 連通性:I²C，LIN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:LCD，LVD，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):53 程序存儲(chǔ)器容量:32KB（32K x 8） 程序存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:1.9K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 12x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 105°C 封裝/外殼:64-LQFP 包裝:托盤(pán) DF2667VFQ33V 功能描述:IC H8S/2667 MCU FLASH 144LQFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:H8® H8S/2600 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:CAN Basics Part-1 CAN Basics Part-2 Electromagnetic Noise Reduction Techniques Part 1 M16C Product Overview Part 1 M16C Product Overview Part 2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:M16C™ M32C/80/87 核心處理器:M32C/80 芯體尺寸:16/32-位 速度:32MHz 連通性:EBI/EMI，I²C，IEBus，IrDA，SIO，UART/USART 外圍設(shè)備:DMA，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):121 程序存儲(chǔ)器容量:384KB（384K x 8） 程序存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:24K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):3 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 34x10b，D/A 2x8b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-20°C ~ 85°C 封裝/外殼:144-LQFP 包裝:托盤(pán) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:749 (CN2011-ZH PDF) 配用:R0K330879S001BE-ND - KIT DEV RSK M32C/87 DF2667VFQ33 功能描述:MCU 3V 384K 144-LQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:H8® H8S/2600 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 系列:56F8xxx 核心處理器:56800E 芯體尺寸:16-位 速度:60MHz 連通性:CAN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:POR，PWM，溫度傳感器，WDT 輸入/輸出數(shù):21 程序存儲(chǔ)器容量:40KB（20K x 16） 程序存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:6K x 16 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.25 V ~ 3.6 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 6x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:48-LQFP 包裝:托盤(pán) 配用:MC56F8323EVME-ND - BOARD EVALUATION MC56F8323 DF2648RFC20V 功能描述:IC H8S/2648 MCU FLASH 144QFP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 嵌入式 - 微控制器， 系列:H8® H8S/2600 標(biāo)準(zhǔn)包裝:160 系列:S08 核心處理器:S08 芯體尺寸:8-位 速度:40MHz 連通性:I²C，LIN，SCI，SPI 外圍設(shè)備:LCD，LVD，POR，PWM，WDT 輸入/輸出數(shù):53 程序存儲(chǔ)器容量:32KB（32K x 8） 程序存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 EEPROM 大小:- RAM 容量:1.9K x 8 電壓 - 電源 (Vcc/Vdd):2.7 V ~ 5.5 V 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器:A/D 12x12b 振蕩器型:內(nèi)部 工作溫度:-40°C ~ 105°C 封裝/外殼:64-LQFP 包裝:托盤(pán) DF2B7AE,L3F DF2B7AFS,L3M DF2B7ASL,L3F DF2B7M2SL,L3F DF2B7M3SC,L3F DF2B7M3SL,L3F DF2B7SL,L3F DF2E-DC12V DF2E-DC24V DF2E-DC5V DF2E-L2-DC12V DF2E-L2-DC24V DF2E-L2-DC3V DF2E-L2-DC5V DF2E-L2-DC6V DF2E-L2-DC9V DF2S10FS,L3M DF2S12FS,L3M
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