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009 抗還原熱補償陶瓷介質(zhì)材料及其制成的陶瓷電容器
[摘要] 本技術(shù)提供了一種抗還原熱補償陶瓷介質(zhì)材料及其制備的陶瓷電容器。本技術(shù)的陶瓷介質(zhì)材料的理論通式為(Cax
006 抗還原的介電陶瓷材料、制備方法及多層陶瓷電容器
[摘要] 考慮到含鎳內(nèi)電極多層陶瓷電容器的制備包括使內(nèi)電極末端外露的拋光步驟，為了防止拋光步驟的延長，本技術(shù)制備了一種抗還原介電陶瓷材料，是通過下列步驟實現(xiàn)的：配成包含以式（Ⅰ）［（Cax
014 納米級陶瓷材料摻雜劑、高介抗還原多層陶瓷電容器介質(zhì)材料及二者的制備方法
[摘要] 納米級陶瓷材料摻雜劑、高介抗還原多層陶瓷電容器介質(zhì)材料及二者的制備方法，屬于電子材料技術(shù)領域，特別涉及一種電容器陶瓷材料。本技術(shù)所制備的摻雜劑的尺寸達納米級，成本低，均勻性好。本技術(shù)解決所述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是，提供一種納米級陶瓷材料摻雜劑，其主成分為包含以下元素的復合氧化物：aSi+bA+cD+dR，其中，A代表受主元素，至少包括Mg、Mn之一；D代表V、Gd、Sm、Nd、Pr中的一種或多種：R代表稀土元素，包括Ho、Dy、Y、Yb、Er其中之一種或多種；其中，a、b、c、d是系數(shù)，以mole比計算，10％≤a≤70％，10％≤b≤40％，10％≤c≤40％，10％≤d≤40％。
012 圓片形高壓瓷介電容器賤金屬化學沉積法全電極制造工藝
[摘要] 本技術(shù)涉及一種圓片形高壓瓷介電容器制備電極及電容器的制造工藝，是用賤金屬銅或鎳用化學沉積法制備電極的工藝，該工藝包括瓷片制備、配制粗化液、敏化液、活化液、還原液、渡液，瓷片經(jīng)活化、還原、鍍銅或鍍鎳、擺片、粘片、磨片、散片、選片等過程，再經(jīng)檢驗合格、包裝入庫。本技術(shù)的優(yōu)點是采用銅或鎳作為電極來替代銀或其它貴重金屬作電極，使成本大大降低，而且銅或鎳電極需經(jīng)磨邊，即磨去陶瓷介質(zhì)端面上的電極，無需留邊即可制成全對稱滿電極，有效消除電致應變對瓷體邊緣的破壞，避免了電極邊緣電壓擊穿現(xiàn)象，最大限度地提高抗電強度，降低介質(zhì)損耗，有效防止飛弧、電暈。
005 抗還原的介電陶瓷組合物和含該組合物的單塊陶瓷電容器
[摘要] 一種介電常數(shù)為１００或更高并在高溫負載下的壽命中有優(yōu)良可靠性的改進的抗還原介電陶瓷組合物，和一種用該組合物形成的單塊陶瓷電容器。該組合物包括含金屬元素Ｍ（Ｍ：Ｃａ，或Ｃａ和Ｓｒ）、Ｚｒ和Ｔｉ的復合氧化物，以式（Ｃａ1-x
015 陶瓷介電材料及其制備方法及卑金屬積層陶瓷電容器
010 高介電、抗還原陶瓷材料及其制備的陶瓷電容器
013 多層片式陶瓷電容器及其制造方法
003 賤金屬電極多層陶瓷電容器介質(zhì)材料及其制備方法
001 低頻高介抗還原多層陶瓷電容器瓷料及其制備方法
004 超細溫度穩(wěn)定型多層陶瓷電容器介電材料及其燒結(jié)工藝
011 納米級陶瓷材料摻雜劑、高介抗還原多層陶瓷電容器介質(zhì)材料及二者的制備方法
008 鎳內(nèi)電極鈦酸鋇基多層陶瓷電容器納米瓷粉及其制備方法
014 納米級陶瓷材料摻雜劑、高介抗還原多層陶瓷電容器介質(zhì)材料及二者的制備方法
002 用于賤金屬電極的高介電、抗還原電容介質(zhì)材料
以上15項技術(shù)包括在一張光盤內(nèi)
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