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019 電容式傳聲器芯片
[摘要] 本技術(shù)電容式傳聲器芯片，涉及傳聲器技術(shù)，利用振膜和基底即背極形成電容檢測(cè)結(jié)構(gòu)。振膜通過振膜支撐與背極上表面相連，形成懸臂結(jié)構(gòu)或準(zhǔn)振膜結(jié)構(gòu)，振膜在水平方向上保持，充分的釋放振膜的殘余應(yīng)力，提高振膜的上下振動(dòng)性能；在振膜端邊緣有上止擋和下止擋，保持振膜的穩(wěn)定狀態(tài)；振膜端邊緣可制作懸梁結(jié)構(gòu)，下止擋設(shè)在懸梁結(jié)構(gòu)之下，保持振膜柔軟的振動(dòng)特性。振膜邊緣設(shè)有的無數(shù)小孔改善頻響特性，同時(shí)作孔；本技術(shù)具有高靈敏度、低噪聲、頻帶寬的特性，芯片的體積小，制作工藝簡(jiǎn)單，容易批量生產(chǎn)。
002 電容式傳聲器芯片
[摘要] 本技術(shù)電容式傳聲器芯片，涉及傳聲器技術(shù)，是振膜在上，背極在下的電容式結(jié)構(gòu)。振膜由平面復(fù)合懸梁或懸梁結(jié)構(gòu)支撐，使得振膜振動(dòng)時(shí)應(yīng)力分布均勻，可有效降低振膜與背極粘連，提高成品率；懸梁結(jié)構(gòu)柔軟，振膜有良好的振動(dòng)特性。背極只有中心部分懸空，外圍部分覆于基底之上，由基底支撐，增強(qiáng)背極的剛性；同時(shí)也可在背極懸空部分作加強(qiáng)筋，進(jìn)一步提高背極的剛性。振膜邊緣設(shè)有無數(shù)的小孔，配合背極懸空部分的聲孔釋放振膜和背極之間原有的犧牲層，并對(duì)傳聲器的聲學(xué)特性有改善作用。本技術(shù)具有高靈敏度、低噪聲、頻帶寬的特性，芯片的體積小，制作工藝簡(jiǎn)單，容易批量生產(chǎn)。
009 一種多晶硅振動(dòng)膜硅微電容傳聲器芯片及其制備方法
[摘要] 本技術(shù)提供了一種多晶硅振動(dòng)膜硅微電容傳聲器芯片及其制備方法。該硅微電容傳聲器芯片包括多晶硅振動(dòng)膜、保護(hù)層、隔離層、空氣間隙、硅基片及其上的穿孔背板，該穿孔背板包括一摻雜層且具有由多個(gè)聲學(xué)孔，該聲學(xué)孔是刻蝕一連續(xù)的摻雜層形成。在該硅微電容傳聲器芯片的制備方法中，在所述硅基片的上表面形成一連續(xù)的摻雜層，該摻雜層形成硅微電容傳聲器芯片的至少一部分穿孔背板，從該連續(xù)的摻雜層的上表面向下刻蝕出由多個(gè)聲學(xué)孔組成的聲學(xué)孔圖案。本技術(shù)采用多晶硅作為振動(dòng)膜，制作工藝與平面半導(dǎo)體工藝完全兼容；本技術(shù)還克服了深度選擇性濃硼擴(kuò)散制作背板及背板穿孔所帶來的問題和困難，為工業(yè)化生產(chǎn)傳聲器芯片提供一套簡(jiǎn)便易行的工藝。
006 一種硅微電容傳聲器芯片及其制備方法
[摘要] 本技術(shù)提供了一種硅微電容傳聲器芯片及制備方法。該傳聲器芯片包括硅基片及其上的穿孔背板、隔離層、振動(dòng)膜和電極，隔離層位于穿孔背板和振動(dòng)膜之間以便在它們之間形成空氣隙，該空氣隙具有無尖角的邊界。在該制備方法中，在硅基片的上表面之上形成一第一犧牲層，該第一犧牲層具有無尖角的邊界；在第一隔離層之上形成一第二犧牲層，該第一犧牲層的被速度大于第二犧牲層的被速度，從所述硅基片的下表面對(duì)所述硅基片進(jìn)行體刻蝕，去除第一犧牲層和一部分第二犧牲層以形成空氣隙。本技術(shù)用于硅微電容傳聲器中的芯片及其制備方法，減小了振動(dòng)膜的應(yīng)力，大大提高了振動(dòng)膜的靈敏度，避免了時(shí)效破裂。
011 一種防粘連的硅微電容傳聲器芯片及其制備方法
[摘要] 本技術(shù)涉及一種防粘連硅微電容傳聲器芯片及其制備方法，包括硅基片，穿孔背板，振動(dòng)膜，電極，其特征在于，所述穿孔背板位于硅基片的空心區(qū)域上方，所述振動(dòng)膜位于穿孔背板上方，由一環(huán)形的隔離支撐層支撐，振動(dòng)膜與穿孔背板之間形成空氣隙；所述穿孔背板上表面制有凸起結(jié)構(gòu)。制備方法由摻雜、制備凸起結(jié)構(gòu)、淀積犧牲層和支撐層、、制備振動(dòng)膜及電極等步驟組成。本技術(shù)由于具有防粘微突出的結(jié)構(gòu)，避免了在犧牲層釋放時(shí)升華干燥工藝過程中以及工作過程中可能發(fā)生的粘連，大大提高了器件的合格率。同時(shí)本技術(shù)制備在下背板上的凸起結(jié)構(gòu)方案能夠制備得到較厚的背板，有效的避免了以往上背板結(jié)構(gòu)中制備防粘微突出方案中“軟”背板的問題。
005 一種傳聲器芯片及其制備方法
001 單膜電容式傳聲器芯片
007 一種硅微電容傳聲器芯片及其制備方法
008 一種硅微電容傳聲器芯片及其制備方法
015 一種硅微電容傳聲器芯片
018 單膜電容式傳聲器芯片
016 一種采用成熟工藝制作的技術(shù)硅微電容傳聲器芯片
012 電容式傳聲器芯片
018 單膜電容式傳聲器芯片
003 內(nèi)旋轉(zhuǎn)梁振膜及其組成的傳聲器芯片
014 內(nèi)旋轉(zhuǎn)梁振膜及其組成的傳聲器芯片
013 梁式振膜及其組成的傳聲器芯片
004 梁式振膜及其組成的傳聲器芯片
016 一種采用成熟工藝制作的技術(shù)硅微電容傳聲器芯片
以上19項(xiàng)技術(shù)包括在一張光盤內(nèi)
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