品牌:南韓東川 | 型號(hào):Ф6-60P | 介質(zhì)材料:陶瓷(瓷介) | 應(yīng)用范圍:高頻消振 | 外形:圓柱形 | 頻率特性:高頻 | 調(diào)節(jié)方式:微調(diào) | 允許偏差:±30（%） | 耐壓值:250（V） | 等效串聯(lián)電阻(ESR):5（mΩ） | 額定電壓:200（V） | 絕緣電阻:1（mΩ） | 溫度系數(shù):200PPM | 標(biāo)稱容量:12-60p

品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SC1941 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SC1654 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SC2654 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SC4499 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SB1396 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SC4548 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SC4094 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SC4703 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SC2463DE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道