氮化鋁電阻 氧化鋁電阻 氧化鋁背光墊片 氧化鋁載體

樣品圖片

      載體材料：氧化鋁（AL2O3）陶瓷、氮化鋁（ALN）陶瓷、微晶玻璃、硅片、鐵氧體系列；
  
  金屬膜層材料：Ni、Cr、Ti、TiW、NiV、NiCr合金、AL、Cu、Au等
  
  最小加工尺寸：0.2×0.2mm；
  
  鍍金方式：單面、雙面、側面局部鍍金孔金屬化。
  


產(chǎn)品（樣品）參數(shù)

0基本設計原則
2.1基板材料、厚度、表面光潔度必須確定。
2.2基板表面金屬必須定義，包括基板兩面的金屬類型、厚度和公差。我們通?；逭鍭u的
厚度為 3.4~4.0µm (135~160 microinches)；我們通?；灞趁鍭u的厚度為1µm (40microinches)。
2.3我們的標準工藝要求電路外形必需為正方形或長方形。
2.4所有電路的特征形狀需由直線、圓弧、或它們的組合構成；不規(guī)則曲線不允許。                           
2.5刻蝕法：最小導線的線寬為10µm (約0.0004")，此適用于Au的厚度≤4µm (約160 microinches)。
電鍍法：最小導線的線寬為20µm (約0.0004")，此適用于Au的厚度≤4µm (約160 microinches) .
2.6刻蝕法：導線的間隙最小為20µm (約0.0008"), 此適用于Au的厚度≤4µm (約160 microinches); 15µm (約0.0006”) 的間隙也可達到。
電鍍法：導線的間隙最小可做到10µm (約0.0004")，此適用于Au的厚度≤4µm (約160 microinches)。
2.7關鍵部位尺寸公差為 ±2.5µm (±0.0001"),此適用于Au的厚度≤4µm (約160 microinches)；
非關鍵部位尺寸公差為±7.6µm (±0.0003")。