加工定制:否 | 產(chǎn)品名稱:真空吸筆 | 品牌:FQQ | 型號:939 | 材質(zhì):鋁合金 | 用途范圍:電子元器件、IC、芯片拾起器

應用范圍:濾波 | 種類:電流互感器 | 品牌:MURATA/村田 | 型號:NFM18PC105R0J3D | 封裝形式:貼片電感 | 繞線形式:單層間繞式 | 導磁體性質(zhì):鐵芯 | 磁芯形狀:柱形 | 工作頻率:低頻 | 安裝方式:臥式密封 | 骨架材料:塑料 | 電感量:1UH | 允許誤差:10% | 標稱電壓:6.3（V）

應用范圍:濾波 | 種類:電感線圈 | 品牌:MILED | 型號:MLB3216-101 | 封裝形式:貼片電感 | 繞線形式:多層平繞式 | 導磁體性質(zhì):鐵氧體磁芯 | 磁芯形狀:柱形 | 工作頻率:高頻 | 安裝方式:立式密封 | 骨架材料:陶瓷 | 品質(zhì)因數(shù)Q:25% | 電感量:150歐姆 1206 | 允許誤差:20 | 感抗XL:150（Ω） | 額定電流:2000（mA） | 標稱電壓:50（V）

加工定制:否 | 品牌:其他 | 型號:19934618600 | 種類:其他 | 性能:其他 | 材料:其他

加工定制:否 | 品牌:其他 | 型號:19923206139 | 種類:其他 | 性能:其他 | 材料:其他

類型:其他IC | 品牌:MPS | 型號:MP1410 | 封裝:SOP | 批號:11+

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:SS8550 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.2 | 集電極最大允許電流ICM:0.1 | 極性:NPN型

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:SS8550 Y2 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23

類型:穩(wěn)壓IC | 品牌:ST/TI | 型號:LM293D | 功率:參照PDF | 封裝:SO-8 | 批號:14+

應用范圍:濾波 | 種類:電感線圈 | 品牌:CKT | 型號:MLI3216-1R0 | 封裝形式:貼片電感 | 繞線形式:多層平繞式 | 導磁體性質(zhì):鐵氧體磁芯 | 磁芯形狀:柱形 | 工作頻率:高頻 | 安裝方式:立式密封 | 骨架材料:陶瓷 | 電感量:1UH | 允許誤差:20

加工定制:否 | 材質(zhì):復合材料 | 包裝層次:銷售包裝/終端包裝 | 包裝型式:包裝盒 | 規(guī)格:1812 70R

種類:壓電晶體、頻率元件 | 品牌:正品 | 型號:3.579545MHz 5*7 4P

品牌:ST/意法 | 型號:STD3NK80ZT4-TR | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:SEP | 型號:HD04 | 應用范圍:其他 | 整流元件:其他 | 交流輸入電壓:標準（V） | 直流輸出電壓:標準（V） | 直流輸出電流:標準（A） | 正向峰值電壓:標準（V） | 反向重復峰值電壓:標準（V） | 反向重復峰值電流:標準（mA） | 絕緣電壓:標準（V） | 工作結(jié)溫:標準（℃） | 效率:標準（%）

種類:集成電路(IC) | 品牌:MAXIM/美信 | 型號:MAX1232CSA

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRLR220 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRLR3110Z | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:STD19NE06L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

種類:集成電路(IC) | 品牌:VISHAY | 型號:SI4410DY

種類:集成電路(IC) | 品牌:原裝 正品 | 型號:SI4336DY