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2SC3356硅超高頻低噪聲功率管是一種基于N型外延層的晶體管。具有高功率增益、低噪聲特性、大動態(tài)范圍和理想的電流特性。主要應(yīng)用于超高頻低噪聲功率管主要應(yīng)用于VHJF，UHF，CATV高頻寬帶低噪聲放大器。 參數(shù)類別：NPN-硅通用晶體管 集電極-發(fā)射極電壓VCEO:12V 集電極-基極電壓VCBO:20V 發(fā)射極-基極電壓VEBO:3.0V 集電極直流電流IC:100mA 總耗散功率(TA=25℃)Ptot:225mW 工作結(jié)溫Tj:150℃ 貯存溫度Tstg:-65~150℃ 電性能參數(shù)（TA=25℃）： 擊穿電壓:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20,V(BR)EBO=3.0 直流放大系數(shù)hFE:50~300 集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值) 發(fā)射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值) 特征頻率fT:7.0GHz 封裝：SOT-23 功率特性：中功率 極性：NPN型 結(jié)構(gòu)：擴散型 材料：硅(Si) 封裝材料：塑料封裝 集電極允許電流：0.1（A） 集電極最大允許耗散功率：0.2（W） 型號：2SC3356-T1B/R25 品牌：NEC 封裝：SOT-23/一盤3000只 溫馨提示：以上產(chǎn)品所標售價為不含稅單價，僅供參考，具體價格及數(shù)量請于當天咨詢，謝謝！ | ||