詳細(xì)信息
■ 產(chǎn)品特點
本產(chǎn)品采用厚膜微電子印制工藝制造而得，使用高性能電子漿料印制后經(jīng)550~600度高溫通過燒結(jié)絲印燒結(jié)而得。主要基體材料采用AlSiC復(fù)合陶瓷散熱基板，具有很強的散熱性和可靠性，組裝密度高，導(dǎo)熱性佳。
本產(chǎn)品基板沉底材料采用AlSiC復(fù)合陶瓷。AlSiC復(fù)合陶瓷密度與鋁相當(dāng)，比銅和Kovar輕，比剛度（剛度除以密度）是所有電子材料中最高的：是鋁的3倍，是W-Cu和Kovar的5倍，是銅的25倍。另外AlSiC的抗震性比陶瓷好，因此是惡劣環(huán)境（震動較大，如航天、汽車等領(lǐng)域）下的首選材料。
ED陶瓷基板，具有優(yōu)異的散熱性及膨脹系數(shù)可靈活調(diào)整的特質(zhì)，可提高LED散熱效率，提高光效及光源壽命。而可靈活調(diào)整的膨脹系數(shù)，使其可匹配led芯片材質(zhì)的膨脹系數(shù)，適用于各種不同環(huán)境。該基板可替代同類型氮化鋁或鋁基板產(chǎn)品，具有硬度高、重量輕、成本低、散熱效率高的突出特點。
■ 技術(shù)指標(biāo)
材料性能 | 7-AlSiC | 8-AlSiC | 10-AlSiC |
SiC( % ) | 70 | 63 | 55 |
Al7SiMg( % ) | 30 | 37 | 45 |
熱膨脹系(ppm/℃) 30-100℃ | 7.000.25 | 8.000.25 | 9.800.25 |
熱膨脹系(ppm/℃) 30-150℃ | 7.250.25 | 8.300.25 | 10.200.25 |
熱膨脹系(ppm/℃) 30-200℃ | 7.480.25 | 8.600.25 | 10.500.25 |
熱導(dǎo)率(W/mK,25℃) | ≥200 | ≥200 | ≥200 |
比熱(J/gK,20℃) | 0.7430.05 | 0.7520.05 | 0.7680.05 |
密度(g/cm3) | 3.020.01 | 3.000.01 | 2.960.01 |
抗彎強度(MPa) | 330 | 350 | 350 |
彈性模量(GPa) | 220 | 220 | 220 |
電阻率(μΩ·cm) | 201 | 201 | 201 |
氣密性（atm·cm3/s,He） | 10-9 | 10-9 | 10-9 |