品牌:ST/意法 | 型號(hào):STB80NF03L-04T | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:TO-263 | 應(yīng)用范圍:功率
≥55 個(gè)
¥1.00
品牌:ST/意法 | 型號(hào):STB80NF03L-04 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:TO-263 | 應(yīng)用范圍:功率
≥55 個(gè)
¥1.00
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SI2302 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個(gè)
¥0.15
封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 型號(hào):UPC29M08T-E1 | 材料:N-FET硅N溝道 | 品牌:NEC/日本電氣 | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 包裝:2000PCS/REEL
≥1 K
¥0.10
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號(hào):NTR4101PT1G | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:SMD | 集電極最大耗散功率PCM:貼片/直插三極管 | 集電極最大允許電流ICM:貼片/直插三極管 | 截止頻率fT:貼片/直插三極管
≥1000 PCS
¥0.30
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):NDS332P | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
1-99 個(gè)
¥1.00
100-2999 個(gè)
¥0.50
≥3000 個(gè)
¥0.30
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SC5886 | 材料:- | 封裝形式:SMD
封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 型號(hào):FDN340P | 用途:A/寬頻帶放大 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
10-2999 個(gè)
¥1.00
≥3000 個(gè)
¥0.50
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):BAS78D | 材料:硅(Si) | 類(lèi)型:其他IC | 功耗:- | 批號(hào):12+ | 產(chǎn)品類(lèi)型:開(kāi)關(guān)管 | 溝道類(lèi)型:其他 | 針腳數(shù):- | 是否進(jìn)口:是 | 工作溫度范圍:- | 加工定制:否 | 封裝:SMD
≥100 PCS
¥1.00
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:AOS | 型號(hào):AO3400A | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 批號(hào):14+ | 封裝:SOT23
加工定制:否 | 品牌:SHINDENGEN/新電元 | 型號(hào):S1ZB60 | 種類(lèi):激光晶體 | 波段范圍:遠(yuǎn)紅外 | 運(yùn)轉(zhuǎn)方式:連續(xù)式 | 激勵(lì)方式:光泵式 | 工作物質(zhì):半導(dǎo)體 | 光路徑:內(nèi)光路 | 輸出波長(zhǎng):原廠規(guī)格(nm) | 線寬:原廠規(guī)格(mm) | 封裝形式:SMD | 產(chǎn)品類(lèi)型:其他 | 應(yīng)用范圍:功率
≥1 PCS
¥0.40
封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 型號(hào):RVQ040N05TR | 材料:N-FET硅N溝道 | 品牌:ROHM/羅姆 | 溝道類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物,MOSFET N 通道,金屬氧化物,MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
10-2999 個(gè)
¥1.00
≥3000 個(gè)
¥0.45
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDB8880_NL | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.10
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號(hào):2N7002、PESD5V0L5UY | 材料:硅(SI),硅(SI) | 封裝形式:貼片型 | 功率:多款 | 批號(hào):12+ | 封裝:DIP/SMD
2000-4999 PCS
¥0.40
≥5000 PCS
¥0.35
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDC638P-NL1 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 包裝:3000PCS/REEL
10-2999 個(gè)
¥1.50
≥3000 個(gè)
¥0.90
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ROHM/羅姆 | 型號(hào):2SC4081 | 材料:其他 | 封裝形式:SMD | 類(lèi)型:其他IC | 批號(hào):10+ | 封裝:SOT323
≥100 PCS
¥0.10
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號(hào):MMBT3906LT1G | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 原廠規(guī)格:原廠規(guī)格
≥1000000 個(gè)
¥0.60
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ROHM/羅姆 | 型號(hào):IMH9AT110 IMH10AT110 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SMD | 備注:ROHM 2012年原裝現(xiàn)貨 | 產(chǎn)品類(lèi)型:其他 | 是否進(jìn)口:是
≥1 PCS
¥0.10
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):BAT70-05 | 材料:硅(Si) | 電壓,Vz:- | 類(lèi)型:其他IC | 功耗:- | 批號(hào):12+ | 產(chǎn)品類(lèi)型:肖特基管 | 溝道類(lèi)型:其他 | 針腳數(shù):- | 是否進(jìn)口:是 | 工作溫度范圍:- | 加工定制:否 | 封裝:SMD
≥1000 PCS
¥0.30
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):3SK320 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
3000-5999 千克
¥0.19
≥6000 千克
¥0.18