類型:邏輯IC | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SK1588-T1(NG) | 封裝:SOT-89 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道
品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SK2158 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:0.1A | 最大源漏電壓VDSS:50V
≥3000 個(gè)
¥0.15
品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SK1399 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個(gè)
¥0.30
品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):3SK252 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:0.025A | 最大源漏電壓VDSS:18V
≥3000 個(gè)
¥0.70
品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SJ462 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:2W | 最大漏極電流ID:-2.5A | 最大源漏電壓VDSS:-12V
≥1000 個(gè)
¥1.50
品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SK1958 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個(gè)
¥0.25
品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SK1133 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥3000 個(gè)
¥0.28
品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SK1586-T1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:2W | 最大漏極電流ID:1A | 最大源漏電壓VDSS:30V
≥1000 個(gè)
¥0.50
≥1000
¥0.15
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ROHM/羅姆 | 型號(hào):UMC2N | 材料:硅(SI) | 封裝形式:SOT-353
1000-2999 PCS
¥0.21
3000-5999 PCS
¥0.20
≥6000 PCS
¥0.19
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SC3622A-L | 封裝形式:TO92
500-999 PCS
¥0.30
1000-1999 PCS
¥0.23
≥2000 PCS
¥0.22