詳細(xì)信息
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廠家直銷，同等質(zhì)量，價(jià)格全網(wǎng)最低
全場產(chǎn)品滿500元包郵
一等材質(zhì)，工業(yè)級品質(zhì)，庫存充足，特殊頻點(diǎn)可定制
一、 基礎(chǔ)理論
1、 水晶的分子式：SiO2
2、 水晶的硬度：莫氏硬度7級
3、 水晶的比重： 2.65
4、 一個(gè)完整的天然水晶一共有30個(gè)面，共分5組，每組 6個(gè)。
5、 水晶有幾個(gè)二次對稱軸？3個(gè)
6、 X軸稱為電軸，Y軸稱為機(jī)械軸，Z軸稱為光軸。
7、 公司產(chǎn)品最常用的是那種切型？AT
8、 公司產(chǎn)品屬于哪種基本振動模式？ 厚度剪切
9、 溫度達(dá)到 573 度，不能再做晶體元件。
10、 畫出晶體元件的等效電路圖：
二、 名詞解釋：
1、標(biāo)稱頻率F0：客戶給定的頻率或是標(biāo)識頻率
2、負(fù)載諧振頻率FL：帶負(fù)載電容時(shí)測量的頻率
3、負(fù)載電容CL：產(chǎn)品生產(chǎn)時(shí)所串的頻率（線路晶體兩端串聯(lián)電容與分布電容的和）
4、調(diào)整頻差△FL=FL-F0：用戶要求的頻率誤差范圍或是電路上可以調(diào)整的頻率范圍
5、諧振電阻RR：晶體工作時(shí)的等效電阻
6、負(fù)載諧振電阻RL：晶體工作時(shí)，包括負(fù)載電容一起測量的等效電阻
7、靜電容或稱并電容C0：晶體不工作時(shí)可以測量出電容值
8、DLD：隨著激勵(lì)功率的變化，電阻和頻率的變化量
9、寄生頻率：非主振以外的其它頻率
10、牽引率TS：當(dāng)負(fù)載電容變化時(shí)，頻率的變化量
三、闡述工藝衛(wèi)生對產(chǎn)品質(zhì)量的影響：
工藝衛(wèi)生不好，對產(chǎn)品的頻率穩(wěn)定性、電阻大小及穩(wěn)定性、DLD都會有很大影響。產(chǎn)品生產(chǎn)時(shí)或檢驗(yàn)時(shí)合格，但隨著時(shí)間的推移，頻率、電阻、DLD都會發(fā)生變化，導(dǎo)致產(chǎn)品不合格。
生產(chǎn)過程合格率低，特別是電阻增大。DLD不良率增加。
四、闡述切角對成品溫度頻差的影響：
石英晶體元件，當(dāng)溫度發(fā)生變化時(shí)，頻率也隨著升高或降低，中心切角選擇不合適，在同樣的溫度范圍內(nèi)，頻差增大。切角的一致性不好，會造成晶體溫度頻差一致性也不好。因此，要根據(jù)不同的溫度頻差要求（包括溫度范圍），選擇不同的中心切角和誤差。不同的頻率，選用的中心切角也不一樣。頻率低角度小，頻率高角度大。
晶體切角的選擇要根據(jù)：頻率、工作溫度范圍、和要求的溫度頻差值來確定。