K10A60D 場效應(yīng) 10A600V NPN

批發(fā)數(shù)量 ≥1個
梯度價格 ￥0.10
型號
K10A60D
品牌
TOSHIBA/東芝
種類
絕緣柵(MOSFET)
溝道類型
N溝道
導(dǎo)電方式
增強(qiáng)型
用途
L/功率放大
封裝外形
CER-DIP/陶瓷直插
材料
N-FET硅N溝道
類型
其他IC
功率
/
批號
12+

TK10A60D參數(shù)
制造商Toshiba
產(chǎn)品種類MOSFET 功率
RoHS是
配置Single
晶體管極性N-Channel
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）0.75 Ohms
汲極/源極擊穿電壓600 V
漏極連續(xù)電流10 A
功率耗散45 W
安裝風(fēng)格Through Hole
封裝 / 箱體2-10U1B
封裝Tube
下降時間100 ns
柵極電荷 Qg25 nC
上升時間55 ns