應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):MJE2955T | 材料:硅(SI) | 封裝形式:直插型
≥1 PCS
¥1.50
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號(hào):MJE3055T,MJE2955T | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220-3
≥1 個(gè)
¥1.00
應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:ST/意法 | 型號(hào):三極管MJE2955T(TO-220) | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 集電極最大允許電流ICM:1.5 | 極性:N/P型 | 截止頻率fT:50 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:50
1000-4999 PCS
¥0.52
5000-9999 PCS
¥0.50
≥10000 PCS
¥0.49
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號(hào):MJE2955T | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:33 | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:33 | 截止頻率fT:33 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 是否提供加工定制:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 擊穿電壓VCEO:33
≥100 PCS
¥0.50
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號(hào):MJE2955T TO-220 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):肖特基 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否
≥1 PCS
¥1.00
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號(hào):MJE2955T/MJE3055T TO-220 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):肖特基 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:否
≥1 PCS
¥1.00
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):MJE2955T | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型
≥1 PCS
¥1.50
類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號(hào):MJE2955T | 封裝:標(biāo)準(zhǔn)封裝 | 批號(hào):2011+ | 是否提供加工定制:否
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號(hào):MJE2955T | 材料:硅(Si)
≥10 個(gè)
¥0.10
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON,MOT,ST | 型號(hào):MJE2955T,MJE2955 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:75 | 擊穿電壓VCBO:60 | 極性:PNP型 | 集電極最大允許電流ICM:10 | 截止頻率fT:2 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:金屬封裝