應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:MJD44H11 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導(dǎo)電方式:增強型

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJD44H11G | 類型:穩(wěn)壓IC | 批號:2012 | 封裝:DPAK

應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJD44H11 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 類型:其他IC | 集電極最大耗散功率PCM:1.75 | 集電極最大允許電流ICM:8 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:50 | 結(jié)構(gòu):外延型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:80

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ON/安森美 | 型號:4H11G/5H11G | 材料:P | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:P | 集電極最大允許電流ICM:P | 極性:N/P型 | 截止頻率fT:P | 結(jié)構(gòu):合金型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:P

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJD44H11 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-252，TO-251 | 擊穿電壓VCBO:80 | 集電極最大允許電流ICM:8 | 產(chǎn)品類型:其他

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:MJD44H11 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJD44H11 | 材料:硅(Si) | 批號:2012 | 封裝:TO-162A

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJD44H11RLG | 類型:驅(qū)動IC | 批號:2011 | 封裝:TSOP

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ON/安森美 | 型號:MJD44H11 | 類型:其他IC | 批號:11+ | 封裝:DPAK