LED陶瓷基板/氧化鋁陶瓷絕緣片/氧化鋁陶瓷基片06

批發(fā)數(shù)量 ≥10000
梯度價格 0.50
加工定制
特性
氧化鋁陶瓷
功能
絕緣裝置陶瓷
微觀結(jié)構(gòu)
單晶
規(guī)格尺寸
多種并可訂做(mm)
絕緣陶瓷片
20*26*1,22*28*1
氧化鋁陶瓷基片
72*72*0.63,115*115*0.63


氧化鋁陶瓷基片是一種超導(dǎo)熱,超耐壓的導(dǎo)熱絕緣材料。導(dǎo)熱系數(shù)25W/m.K,耐壓12000V左右。是大功率導(dǎo)熱設(shè)備的首先。
主要用于大功大功率設(shè)備中的IC、MOS管、IGBT貼片式導(dǎo)熱絕緣作用。高頻電源IC、通訊、機械設(shè)備等用于強電流、強電壓、超高溫時需要導(dǎo)熱絕緣的部位。有更好的功能輔助作用。讓設(shè)備更好的發(fā)揮性能。
物理性能用于超高導(dǎo)熱、高抗電壓絕緣體、耐高溫、耐磨損、高強度。
可訂做最大規(guī)格尺寸  180*200MM左右,厚度0.5-10MM  ; 氧化鋁材質(zhì):96%99%;
特點:
1、熱阻0.3度-IN平方/W(@50PSI)
2、導(dǎo)熱系數(shù)25W/m.K超高導(dǎo)熱以及絕緣耐壓12KV的超高絕緣性能
3、高強度氧化鋁陶瓷基片
4、性能穩(wěn)定有效解決因散熱不良,而造成IC老化等問題
常用規(guī)格:T0-220、T0-247、T0-264等
常規(guī)尺寸(單位MM):20*26*1、20*26*1有孔、22*28*1有孔、24*18.5*0.63有孔、26*48*0.63、21*37*0.63、38.7*24.1*0.63、98*21*0.63、115*115*0.63、138*188*0.63等??筛鶕?jù)客戶圖紙要求加工。
96%氧化鋁陶瓷基片,應(yīng)用于電子元器件的封裝,電鍍,導(dǎo)熱絕緣,耐強壓強電流等產(chǎn)品中。
線路板用陶瓷基片采用優(yōu)質(zhì)96-99%氧化鋁陶瓷材料,高強度、耐高溫、耐腐蝕、抗氧化、高壽命等特點。
LED燈類的陶瓷基片,可以代加陶瓷表面金屬電阻位。歡迎來人來電咨詢與恰談,并免費提供樣品。
 
深圳市的美科技電子陶瓷有限公司一般采用流延成型法制備氧化鋁陶瓷基片,目前發(fā)展到使用非苯系、無毒、無公害溶劑體系,對環(huán)境無污染,且流延坯片的干燥速率易于控制,配料中使用的溶劑可回收循環(huán)利用。在流延生坯上可以沖制各種形狀和孔,然后進行燒成,可在連續(xù)式空氣氣氛窯爐中同時完成排膠和燒成的生產(chǎn)方式。96%氧化鋁陶瓷基片材料中添加了合適的礦物原料作為助熔劑,燒成溫度低到1580℃~1600℃,產(chǎn)品密度即可達3.75g/cm3以上。對于尺寸精度要求較高的產(chǎn)品,可以在燒成后,以激光加工方法,在基片上劃線、打孔,精度達到±0.05mm。
 
陶瓷基片,又稱陶瓷基板,是以電子陶瓷為基底,對膜電路元件及外貼切元件形成一個支撐底座的片狀材料。
 
  按照陶瓷基片應(yīng)用領(lǐng)域的不同,又分為HIC(混合集成電路)陶瓷基片、聚焦電位器陶瓷基片、激光加熱定影陶瓷基片、片式電阻基片、網(wǎng)絡(luò)電阻基片等;按加工方式的不同,陶瓷基片分為模壓片、激光劃線片兩大類。
 
  
 
模壓片
 
主要特點
 
  陶瓷基片具有耐高溫、電絕緣性能高、介電常數(shù)和介質(zhì)損耗低、熱導(dǎo)率大、化學(xué)穩(wěn)定性好、與元件的熱膨脹系數(shù)相近等主要優(yōu)點,但陶瓷基片較脆,制成的基片面積較小,成本高。
 
發(fā)展方向
 
  隨著微電子技術(shù)的進步,微加工工藝的特征線寬已達亞微米級,一塊基板上可以集成106~109個以上元件,電路工作的速度越來越快、頻率越來越高,這對基板材料的性能提出了更高的要求。作為混合集成電路(HIC)和多芯片組件(MCM)的關(guān)鍵材料之一,基板占其總成本的60%左右。陶瓷基板發(fā)展的總方向是低介電常數(shù)、高熱導(dǎo)率和低成本化。
 
  目前,實際生產(chǎn)和開發(fā)應(yīng)用的陶瓷基片材料有Al2O3、AlN、SiC、BeO、BN、莫來石和玻璃陶瓷等。其中,BeO和SiC熱導(dǎo)率很高(³250W/m.K),但BeO因具有毒性,應(yīng)用范圍小,故產(chǎn)量低;SiC因體積電阻較?。?lt;1013W·cm)、介電常數(shù)較大(40)、介電損耗較高(50),不利于信號的傳輸,且成型工藝復(fù)雜、設(shè)備昂貴,故應(yīng)用范圍也很小;AlN陶瓷基片是新一代高性能陶瓷基片,具有很高的熱導(dǎo)率(理論值為319W/m.K,商品化的AlN基片熱導(dǎo)率大于140W/m.k)、較低的介電常數(shù)(8.8)和介電損耗(~4×104)、以及和硅相配比的熱膨脹系數(shù)(4.4×10-4/℃)等優(yōu)點,但由于成本居高,一直沒能大規(guī)模應(yīng)用;Al2O3陶瓷基片雖然熱導(dǎo)率不高(20W/m.K),但因其生產(chǎn)工藝相對簡單,成本較低,價格便宜,成為目前最廣泛應(yīng)用的陶瓷基片。