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052 一種改良的芯片型電解電容器的制造方法
[摘要] 本技術(shù)提供了一種改良的芯片型電解電容器的制造方法。其制造過程簡(jiǎn)單，產(chǎn)品的阻值率低、產(chǎn)品良率高，成本低。將金屬箔片沖壓出數(shù)個(gè)單元基片，在所述各單元基片表面上覆蓋或形成一層作為介電質(zhì)的氧化層，在陰極區(qū)域與陽極區(qū)域之間涂上絕緣層，其特征在于：在所述各單元基片的陽極一端的表面上除去所述氧化層而形成陽極，在所述單元基片未除去所述氧化層的部分涂布導(dǎo)電高分子和碳、具有粘著特性的金屬導(dǎo)體形成陰極，就制成芯片型電容器單元。
050 用于制造具有嵌入其中的薄膜電容器的印刷電路板的方法
[摘要] 在一種用于制造具有嵌入其間的薄膜電容器的印刷電路板的方法中，通過第一掩模濺射導(dǎo)電金屬以形成下部電極。通過第二掩模濺射介電材料以形成介電層。通過第三掩模濺射導(dǎo)電金屬以形成上部電極。在其中形成有上部電極的層積本體上層積絕緣層，并且從該絕緣層的頂表面至下部電極的頂表面以及從絕緣層的頂表面至形成在基板上的上部電極的頂表面穿過過孔。而且，對(duì)其中形成有過孔的層積本體進(jìn)行電解鍍和化學(xué)鍍。
016 埋置式電容器的裝設(shè)方法和用這種方法裝設(shè)的埋置式電容器
[摘要] 本技術(shù)涉及在襯底或諸如此類的物體上裝設(shè)埋置式電容器的方法和用這種方法埋置的電容器。為減少電容器中的電阻損耗并提高電容器的效能在半導(dǎo)體電路中不采用多晶層而采用一個(gè)或多個(gè)如鋁鎢之類的金屬體（14）。為做到這一點(diǎn)，本技術(shù)采用了一種新工藝：在不致掉溝道中的絕緣層的情況下將溝道填充料掉，然后將溝道充以上述金屬（14），從而使導(dǎo)電材料與金屬體之間的絕緣層（13）將兩導(dǎo)面分隔開，形成埋置式電容器。
051 金屬-絕緣層-金屬電容器的制造方法
[摘要] 一種金屬-絕緣層-金屬電容器的制造方法，首先于襯底上形成一層第一金屬層，然后，對(duì)第一金屬層表面進(jìn)行等離子體處理工藝。接著，于第一金屬層上依序形成一層第一氧化層、氮化層及第二氧化層。之后，于第二氧化層上形成一層第二金屬層。然后，定義第二金屬層、第二氧化層、氮化層、第一氧化層及第一金屬層，以形成金屬-絕緣層-金屬電容器。
060 MIM結(jié)構(gòu)的電容器的制造方法
[摘要] 本技術(shù)涉及一種MIM結(jié)構(gòu)的電容器的制造方法。該方法包括在下電極金屬層的上方順序地沉積氮化物膜、Ti膜、以及TiN膜，所述氮化物膜作為絕緣膜，并且所述Ti/TiN層的組合作為上金屬電極，用于所述MIM結(jié)構(gòu)的電容器。該方法還包括在所述上電極金屬層上涂覆光致抗蝕劑層，并且圖案化所述光致抗蝕劑層；然后使用所述圖案化的光致抗蝕劑層作為蝕刻掩模，選擇性地蝕刻所述上金屬電極層和所述氮化物膜；以及通過濕法清洗工藝，最終除去殘留在所述MIM結(jié)構(gòu)的電容器的側(cè)壁上的氮化物。通過本技術(shù)的MIM結(jié)構(gòu)的電容器的制造方法，使用濕法清洗工藝除去當(dāng)圖案化MIM電容器時(shí)產(chǎn)生的絕緣層的殘留物，從而可抑制短路的發(fā)生，并且可提高M(jìn)IM結(jié)構(gòu)的電容器的特性。
014 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器電容器及其下電極的制造方法
012 具有電容器的可層疊的電路板結(jié)構(gòu)
021 薄膜電容器
044 電容器和連接電容器的方法
039 增加DRAM單元電容器中的電極表面積的方法
059 金屬電容器及其制造方法
018 具有電容器的半導(dǎo)體器件及其制造方法
047 用于制造半導(dǎo)體器件的電容器的方法
017 集成電路中的電容器
022 固態(tài)電容器的制造
028 低電感電容器
019 C－V線性得以改善的壓變電容器
002 利用鑲嵌制程形成金屬電容器的方法及其產(chǎn)品
009 形成金屬-絕緣層-金屬電容器的方法
043 在內(nèi)連接系統(tǒng)中的電容器以及其制作方法
008 在銅鑲嵌制程中形成金屬-絕緣-金屬型(MIM)電容器的方法
011 對(duì)溫度具有高穩(wěn)定性的電容器
046 電容器電路和顯示器件以及顯示驅(qū)動(dòng)電路
032 防雙容電容器
036 在集成電路器件的大馬士革銅工藝中電容器制造的方法及其結(jié)構(gòu)
054 用于電光調(diào)制器的波導(dǎo)電容器
029 一種組合式電容器
027 一種復(fù)合電容器
004 具有電容器的雙鑲嵌構(gòu)造及其制造方法
006 金屬－絕緣體－金屬電容器制造方法
041 薄膜晶體管液晶顯示器、疊層儲(chǔ)存電容器及其形成方法
003 利用鑲嵌制程形成金屬電容器的方法及其產(chǎn)品
058 金屬電容器及其制造方法
024 金屬-絕緣層-金屬電容器及其制造方法
045 具有形成在電容器上的可流動(dòng)絕緣層的半導(dǎo)體裝置及其制造方法
040 金屬絕緣體金屬電容器
053 非固體電解質(zhì)全鉭電容器及其制作方法
030 脈沖電容器
026 金屬化電容器的熱平衡裝置
025 具有漸縮的圓柱形存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電容器及其制造方法
061 用于電磁感應(yīng)加熱設(shè)備的電容器
031 電容器金屬化膜分切機(jī)之賦能裝置
007 其上結(jié)合有薄膜電容器的多層布線基板的制造工藝
001 在鑲嵌制程中形成金屬電容器的方法
005 在鑲嵌制程中形成金屬電容器的方法及其產(chǎn)品
055 電容器、硅基液晶顯示器及制作方法
023 金屬-絕緣體-金屬電容器及其制造方法
033 金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器結(jié)構(gòu)及其制作方法
038 包含集成格狀電容器結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體組件
020 埋入的金屬雙重鑲嵌板電容器
037 用于將銅與金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)合的方法和結(jié)構(gòu)
013 在存儲(chǔ)單元的電容器陣列上制作位線的方法
049 制造半導(dǎo)體器件中的電容器的方法
048 半導(dǎo)體器件中的電容器及其制造方法
060 MIM結(jié)構(gòu)的電容器的制造方法
015 具同軸式電容器放電效應(yīng)的環(huán)保型花塞-電纜
034 溝槽電容器及制造溝槽電容器之方法
035 具有金屬-絕緣體-金屬電容器的半導(dǎo)體器件及制造方法
056 金屬電容器及其制造方法
010 一種組合式電容器及其制造方法
042 電容器和電容器內(nèi)置電路基板及其制造方法
以上61項(xiàng)技術(shù)包括在一張光盤內(nèi)
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