詳細信息
一、 基礎理論
1、 水晶的分子式：SiO2
2、 水晶的硬度：莫氏硬度7級
3、 水晶的比重： 2.65
4、 一個完整的天然水晶一共有30個面，共分5組，每組 6個。
5、 水晶有幾個二次對稱軸？3個
6、 X軸稱為電軸，Y軸稱為機械軸，Z軸稱為光軸。
7、 公司產品最常用的是那種切型？AT
8、 公司產品屬于哪種基本振動模式？ 厚度剪切
9、 溫度達到 573 度，不能再做晶體元件。
10、 畫出晶體元件的等效電路圖：
二、 名詞解釋：
1、標稱頻率F0：客戶給定的頻率或是標識頻率
2、負載諧振頻率FL：帶負載電容時測量的頻率
3、負載電容CL：產品生產時所串的頻率（線路晶體兩端串聯電容與分布電容的和）
4、調整頻差△FL=FL-F0：用戶要求的頻率誤差范圍或是電路上可以調整的頻率范圍
5、諧振電阻RR：晶體工作時的等效電阻
6、負載諧振電阻RL：晶體工作時，包括負載電容一起測量的等效電阻
7、靜電容或稱并電容C0：晶體不工作時可以測量出電容值
8、DLD：隨著激勵功率的變化，電阻和頻率的變化量
9、寄生頻率：非主振以外的其它頻率
10、牽引率TS：當負載電容變化時，頻率的變化量
三、闡述工藝衛(wèi)生對產品質量的影響：
工藝衛(wèi)生不好，對產品的頻率穩(wěn)定性、電阻大小及穩(wěn)定性、DLD都會有很大影響。產品生產時或檢驗時合格，但隨著時間的推移，頻率、電阻、DLD都會發(fā)生變化，導致產品不合格。
生產過程合格率低，特別是電阻增大。DLD不良率增加。
四、闡述切角對成品溫度頻差的影響：
石英晶體元件，當溫度發(fā)生變化時，頻率也隨著升高或降低，中心切角選擇不合適，在同樣的溫度范圍內，頻差增大。切角的一致性不好，會造成晶體溫度頻差一致性也不好。因此，要根據不同的溫度頻差要求（包括溫度范圍），選擇不同的中心切角和誤差。不同的頻率，選用的中心切角也不一樣。頻率低角度小，頻率高角度大。
晶體切角的選擇要根據：頻率、工作溫度范圍、和要求的溫度頻差值來確定。
Nominal frequency（頻率范圍） | 3.200 to 64.000MHz |
Oscillation mode | See below table |
Operating temperature range（工作溫度范圍） | -10℃--+60℃(standard), -20℃--+70℃, -40℃--+85℃,or Specify |
Storage temperature range（保存溫度） | -40℃--+85℃ |
Frequency tolerance（溫差） | ±30PPM at 25±2℃( standard) or specify |
Freq. Temp characteristics（頻率誤差） | ±30PPM (standard) or specify |
Load capacitance（負載） | series,16pF, 18pF, 20pF, 30pF, or specify |
Equivalent series resistance | See below table |
Parallel capacitance(Co)（靜電容） | 7PF Max |
Drive level（功率） | 100 μW Typical |
Insulation resistance（絕緣電阻） | More than 500MΩAT DC100V |
EQUIVALENT SERIES RESISTANCE(ESR) AND OSCILLATION MODE
FrequencyRange | E.S.R (Ω) | Mode | FrequencyRange | E.S.R (Ω) | Mode |
3.000MHz~5.999MHz | 150Max | Fundamental/AT | 24.000MHz~40.320MHz | 30Max | Fundamental/BT |
6.000MHz~7.999MHz | 60Max | Fundamental/AT | 24.000MHz~29.999MHz | 100Max | Third Overtone /AT |
8.000MHz~15.999MHz | 50Max | Fun, , damenta, l/AT | 30.000MHz~49.999MHz | 80Max | Third Overtone /AT |
16.000MHz~30.000MHz | 30Max | Fundamental/AT | 50.000MHz~100.000MHz | 60Max | Third Overtone /AT |