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光刻膠又稱光致抗蝕劑，由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成分組成的對(duì)光敏感的混合液體。感光樹脂經(jīng)光照后，在曝光區(qū)能很快地發(fā)生光固化反應(yīng)，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發(fā)生明顯變化。經(jīng)適當(dāng)?shù)娜軇┨幚?，溶去可溶性部分，得到所需圖像。
光刻膠的技術(shù)復(fù)雜，品種較多。根據(jù)其化學(xué)反應(yīng)機(jī)理和顯影原理，可分負(fù)性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負(fù)性膠；反之，對(duì)某些溶劑是不可溶的，經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。
光刻膠的應(yīng)用領(lǐng)域：
模擬半導(dǎo)體（Analog Semiconductors）
發(fā)光二極管（Light-Emitting Diodes LEDs）
微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）
太陽(yáng)能光伏（Solar PV）
微流道和生物芯片（Microfluidics & Biochips）
光電子器件/光子器件（Optoelectronics/Photonics）
封裝（Packaging）
濰坊星泰克微電子材料有限公司成立于2010年，位于濰坊市高新區(qū)生物醫(yī)藥科技園內(nèi)。公司由旅美博士Sam Sun和濰坊創(chuàng)新投資管理有限公司共同創(chuàng)立，Sam Sun博士任董事長(zhǎng)、總經(jīng)理。公司專業(yè)從事高性能光刻膠及其配套試劑的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是濰坊高新區(qū)重點(diǎn)扶持企業(yè)，也是濰坊市定點(diǎn)光刻膠工程技術(shù)研發(fā)中心。
公司已經(jīng)申請(qǐng)多項(xiàng)中國(guó)、美國(guó)和日本發(fā)明專利，發(fā)現(xiàn)了全新的光敏機(jī)理和化學(xué)體系。新型光刻膠的分辨率和抗蝕刻性能大幅度高于傳統(tǒng)產(chǎn)品，客戶將明顯受益。
一、有完善的產(chǎn)品開發(fā)配套設(shè)施，其中200多平方米100級(jí)無(wú)塵試驗(yàn)場(chǎng)地。
二、已建成先進(jìn)的凈化車間和生產(chǎn)線。
三、光刻膠質(zhì)量檢測(cè)和控制儀器設(shè)備齊全。
主要產(chǎn)品一覽 Main Products
SUN-110P正性光刻膠
SUN-110P采用安全溶劑，具有曝光靈敏度高、對(duì)比度高、分辨率高、光刻成品率高以及良好的工藝寬容度等諸多優(yōu)點(diǎn)。配方按i-線光刻優(yōu)化，金屬離子濃度在20ppb以下，可廣泛應(yīng)用于0.35μm線寬以上的IC及相關(guān)半導(dǎo)體制造工藝。
SUN-115P正性光刻膠
SUN-115P采用安全溶劑，具有曝光靈敏度高、對(duì)比度高、分辨率高、光刻成品率高以及良好的工藝寬容度等諸多優(yōu)點(diǎn)。配方按g-線光刻優(yōu)化，金屬離子濃度在20ppb以下，可廣泛應(yīng)用于IC和LED等制造工藝。
SUN-120P正性光刻膠
SUN-120P采用安全溶劑，具有曝光靈敏度高、對(duì)比度高、分辨率高、光刻成品率高以及良好的工藝寬容度等諸多優(yōu)點(diǎn)。可廣泛應(yīng)用于LED、LCD、分立器件等制造工藝。
SUN-125PSS正性光刻膠
SUN-125PSS系列有兩款產(chǎn)品，分別按i、g-線光刻優(yōu)化，具有曝光靈敏度高、陡直度高、分辨率高、蝕刻對(duì)比度高、光刻成品率高以及良好的工藝寬容度等諸多優(yōu)點(diǎn)。是PSS干法蝕刻工藝專用光刻膠。
SUN-130P正性光刻膠
SUN-130P紫外正性光刻膠采用安全溶劑。具有粘度高、曝光靈敏度高、對(duì)比度高、分辨率高、光刻成品率高以及良好的工藝寬容度等諸多優(yōu)點(diǎn)?？蓮V泛應(yīng)用于LCD、TFT- LCD、TP以及分立器件等制造工藝。
SUN-120N負(fù)性光刻膠
SUN-120N紫外負(fù)性光刻膠采用環(huán)保安全溶劑，具有超強(qiáng)粘附性、高穩(wěn)定性、高感光度、高對(duì)比度、高分辨率、高產(chǎn)出率及良好的工藝寬容度等諸多優(yōu)點(diǎn)?？蓮V泛應(yīng)用于中小規(guī)模集成電路制造及相關(guān)半導(dǎo)體制造工藝，適合用于固化后留在設(shè)備中不用去膠的應(yīng)用工藝。
SUN-8i負(fù)性光刻膠
SUN-8i負(fù)性光刻膠采用安全溶劑，具有曝光劑量低、對(duì)比度高、分辨率高以及良好的工藝寬容度等諸多優(yōu)點(diǎn)，其最大特點(diǎn)是膜厚厚度范圍寬，最高可達(dá)100微米以上?？蓮V泛應(yīng)用于微電子微機(jī)械制造及相關(guān)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域以及需要高深寬比應(yīng)用的工藝中。
SUN-9i負(fù)性光刻膠
SUN-9i負(fù)性光刻膠采用安全溶劑，具有曝光劑量低、對(duì)比度高、分辨率高、光刻成品率高、良好的工藝寬容度以及去除性佳等諸多優(yōu)點(diǎn)?？蓮V泛應(yīng)用于LED、LCD、分立器件等制造工藝。
SUN-lift130剝離光刻膠
SUN-lift130剝離光刻膠適合用堿性顯影液顯影，采用安全溶劑，具有對(duì)比度高、分辨率高、附著性佳、易于去除以及良好的工藝寬容度等諸多優(yōu)點(diǎn)。是lift-off制造工藝的專用光刻膠。
濰坊星泰克微電子材料有限公司
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